中思航半导体申请高稳定性与散热性的改进型IGBT芯片及其制造方法专利，提升安装稳定性

金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，中思航(长沙)半导体科技有限责任公司申请一项名为“一种高稳定性与散热性的改进型IGBT芯片及其制造方法”的专利，公开号CN120280411A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明公开了一种高稳定性与散热性的改进型IGBT芯片及其制造方法，涉及电力电子技术领域，包括散热底座、限位槽、限位机构和调节机构，所述散热底座内固定连接有固定架，固定架上固定连接有安装板，散热底座表面以安装板为中心对称开设有限位槽，限位槽两侧均设置有限位机构，所述散热底座于固定架下方开设有调节槽，调节槽内可拆卸有螺纹传动的调节机构；通过转动旋钮，经螺纹杆与定位孔的螺纹配合带动安装架移动，进而使限位压板嵌入卡槽，实现对IGBT芯片的限位，且限位件在螺纹杆推动下借助垫片将芯片固定，提升安装稳定性，安装板下方散热片配合散热风扇及通风槽，形成良好空气循环，有效降低芯片工作温度，保证其稳定运行，提高性能与寿命。

天眼查资料显示，中思航(长沙)半导体科技有限责任公司，成立于2020年，位于长沙市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，中思航(长沙)半导体科技有限责任公司专利信息1条，此外企业还拥有行政许可1个。