新能源、快充、数据中心全覆盖，功率器件新品释放什么信号？

随着功率半导体技术的不断发展，行业正迎来新一轮的产品升级与性能优化。无论是氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料的应用，还是传统MOSFET、IGBT的工艺改进与封装优化，厂商们正持续推出更高效、更可靠、更紧凑的功率器件，以满足高功率密度、低损耗和高可靠性的市场需求。本次我们整理了多家厂商的最新产品，涵盖消费电子、电动汽车、新能源、数据中心及工业控制等多个应用场景，为工程师和行业从业者提供一份全面的新品参考。

本文排序不分先后，按品牌英文首字母顺序排列。

在电子设计不断追求更小体积、更高效率的背景下，EP 推出了全新热增强型 QFN 封装氮化镓器件，为系统设计带来更简洁的布局和更出色的性能。该系列器件采用平整贴合PCB 的QFN 封装形式，支持常见的贴片工艺，简化布局与组装流程。凭借超低导通电阻和高效散热设计，顶部金属裸露可快速导热，显著降低损耗与温升，实现更高的能效表现。其小巧封装可实现高功率密度，尺寸最小仅3×5mm，非常适合高密度应用场景，同时在长期运行中表现出卓越的可靠性。

在可制造性与一致性方面，EPC的QFN封装同样表现出色。无引脚设计使其在组装中具备更高可预测性，焊接一致性更佳；遵循EPC应用指南可有效控制锡膏量并提升回流焊接的稳定性。实验验证显示，该封装的焊点高度误差仅±2–5 µm，大幅降低器件倾斜风险，确保装配可靠性。大量EPC器件的实际应用案例也表明，设计仿真与量产表现高度一致，为工程师在高性能、高密度系统设计中提供了更可靠的选择。

近期，富满微顺应工业自动化与绿色能源趋势，适时推出两款IPM模块，分别为FMM05N60HE0（单相半桥IPM） / FMS10N60HD8（三相全桥IPM）。

FMM05N60HE0是一款单相半桥智能功率模块，用于无刷直流电机驱动，主要应用于较低功率变频驱动，如风扇，电机等。其内置了2个低导通阻抗的 MOSFET和一颗智能化的 HVIC 栅极驱动电路。内部集成高低侧欠压保护，过流保护电路，SD使能关断功能，故障输出功能，输入信号双高互锁，内置死区时间，过温保护等，提供了优异的保护和故障安全操作功能。

FMM05N60HE0内部集成了自举二极管，简化了外围线路；采用CSOP-13L封装，高绝缘，易散热，在复杂环境使用稳定可靠。

FMS10N60HD8是一款三相全桥智能功率模块，用于无刷直流电机驱动，主要应用于较低功率变频驱动，如洗衣机、风扇电机等。其内置了6个低损耗 IGBT和 3个半桥 HVIC 栅极驱动电路。

内部集成欠压保护，过流保护电路，SD使能关断功能，温度输出功能，提供了优异的保护和故障安全操作。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。该模块内部集成了自举二极管，简化了外围线路:采用 DIP-25D 封装，便于安装散热片，高绝缘，易散热，在复杂环境使用稳定可靠。

英诺赛科第三代700V增强型氮化镓功率器件系列正式上市。相比Gen2.5，Gen3在核心性能上实现重大突破：芯片面积缩减30%，提升硅片利用率并支持更高功率密度设计；开关性能提升20-30%，器件电容降低20-30%，显著降低开关与驱动损耗，提高系统效率；热性能优化，在相同应用条件下芯片壳温可降低3-6°C，增强长期运行可靠性。Gen3系列提供DFN5x6、DFN8x8、TO252及SOT223等多种封装，满足紧凑设计、平衡性能和高散热等不同需求，其中旗舰型号INN700TK100E采用TO252封装，典型导通电阻低至74mΩ，可高效支持高达500W的功率应用。

凭借更低的导通电阻和开关损耗，Gen3 700V系列在PD快充、高功率适配器、LED驱动、电源、智能家电、服务器电源及工业SMPS等领域实现更高效率与更小尺寸设计。通过核心参数优化，Gen3帮助工程师提升系统能效、降低器件温度、节省空间与成本，并提供标准封装以简化设计升级路径。英诺赛科Gen3 700V GaN功率器件以更小尺寸、更快速度、更高效率及优化的热管理，为实现高功率密度与高系统效率设计提供理想解决方案。

该系列新品采用超高元胞密度、小线宽设计，使用新洁能特有的沟槽型工艺平台，搭配优化后的大电流产品封装工艺，以NCE011N30GU为例， 导通电阻典型值低至0.75mR,持续电流ID高达325A,优异的参数表现展示了沟槽型芯片设计和封装等工艺的技术实力。系列产品具有超高电流密度，超高抗雪崩击穿能力以及高可靠性表现，器件通过100%雪崩测试，具有较优的鲁棒性，产品性能卓越，为市场提供经济高效的产品解决方案。

2025年8月，PI推出专为太阳能赛车设计的参考套件RDK-85SLR，助力37支学生队伍参加8月24日开始的普利司通世界太阳能挑战赛，穿越澳洲内陆。

RDK-85SLR采用集成PowiGaN氮化镓技术的InnoSwitch 3-AQ芯片，搭载750V PowiGaN开关，效率高达95%，紧凑轻便且无需散热片。该设计由PI工程师与苏黎世联邦理工学院aCentauri车队合作开发，其85号“Silvretta”赛车将在比赛中使用。

套件提供46W电源（短时可达80W）及完整设计组件，包括四颗InnoSwitch3-AQ芯片、PCB板和设计报告，含原理图、布局指南、变压器说明及性能数据，助力学生快速开发高效辅助电源。

派恩杰推出的1200V SiC MOSFET系列以其低导通电阻、高开关频率、出色高温稳定性和强可靠性，成为高压、高频、高温场景的理想选择。与传统硅基MOSFET相比，SiC MOSFET能显著提升效率、减小系统体积，同时具备良好的封装兼容性和车规级应用经验。

本次新品提供以下型号：P3M12040K4SG2、P3M12040K4S、P3M12040K4G2、P3M12030G7、P3M12018K4、P3M12018T7、P3M12030L8、I3M12045K4、P3M12080T7i、P3M12080L8、P3M12120K3、P3M12018PQ、P3M12040K4L。

该系列产品在新能源发电（如光伏逆变器、风电变流器）、工业与能源存储（储能系统、电机驱动）、电力传输与配电、数据中心HVDC供电系统，以及电动汽车高压车载充电和直流快充桩等领域表现卓越，可有效提升系统功率密度并优化散热性能。

元芯半导体推出的YX201058同步降压转换器集成100V/15A GaN功率FET，支持4V至100V宽输入范围及50KHz至3MHz超宽开关频率，具备高效、低碳、紧凑设计等优势，并内置频率扩频、软启动、UVLO保护、时钟同步及电源良好报告等多项功能，兼顾性能与可靠性。

YX201058应用场景广泛，适用于各类高性能电源设计，包括降压DC-DC稳压器、平板与笔记本等消费电子、工业控制与自动化设备、小型储能系统，以及车载充电器等汽车电子。凭借集成双4mΩ GaN功率FET、高达15A的输出能力及灵活的外部补偿和电流监控能力，YX201058为各类高效率电源系统提供强大支持。

芯迈半导体推出的40V车规级SGT MOSFET——SDA系列，基于自有12英寸晶圆厂先进工艺，具备0.7mΩ超低导通电阻（Rdson），在相同电流下显著降低导通损耗、减少系统发热、提升BMS整体能效。相较于行业主流产品，SDA系列可有效优化锂电池充放电效率，延长续航里程；其400A超高雪崩击穿电流能力，在典型车载应用（0.01mH寄生电感）下远超行业标准，可在过流、短路等极端情况下快速关断，保障电池模组安全，尤其适配高功率锂电系统，为BMS提供更强的故障保护能力。

随着电池容量不断提升，BMS需要更多MOSFET并联以支持大电流充放电。SDA系列通过优化的Vth与Rdson一致性，确保静态与动态均流性能，避免并联工况下的电流失衡与局部过热风险。器件采用PDFN5×6紧凑封装，节省PCB面积，契合电池模组轻量化与高集成度趋势，同时通过AEC-Q101认证及多项严苛可靠性测试，可在-55℃至175℃宽温范围内稳定工作，适应复杂车载环境。在新能源汽车向更高电压平台、更高能量密度演进的过程中，SDA系列凭借低损耗、高鲁棒性、优异热管理等特性，不仅满足当前BMS需求，还为800V高压架构、固态电池等未来技术预留性能裕量，其高雪崩能力与均流设计也将成为智能电动汽车功能安全（ISO 26262）的关键支撑。

时科推出的 SKIF75N65-T7 IGBT，采用先进凹槽栅极/场截止工艺，具备 650V耐压、75A大电流、低饱和压降 和 快速开关 特性，开关延迟低于200ns，单次开关损耗不足6mJ，支持 -40℃至175℃ 宽结温范围，并内置快恢复二极管（200ns反向恢复），有效降低系统损耗与设计复杂度，满足高频高功率应用需求。

SKIF75N65-T7凭借高效能量转换、强大电流承载、低损耗运行 等优势，广泛应用于 新能源充电桩（高压快充高效能量传输）、UPS与数据中心（降低损耗、提升稳定性）、光伏逆变与储能（高压耐受、支持高效MPPT）、工业电机驱动与变频器（快速驱动感性负载）、以及 高功率电源与焊机（强抗浪涌能力）。它为新一代高功率系统提供高效、安全、可靠的解决方案，是高性能功率器件的理想选择。

STGWA30IH160DF2是意法半导体推出的第二代1600V IH系列IGBT，具备175℃高结温、优异热阻系数，支持30A额定电流高效散热。采用TGFS技术，低饱和压降（1.77V@30A）、低关断尾电流，降低导通与关断损耗。反并联二极管软恢复特性与主晶体管协同，提升谐振及软开关拓扑能效。适用于16kHz至60kHz准谐振单管变换器，高耐压、优异热性能抵御电压浪涌，减少保护元件，降低成本。正温度系数支持多管并联均流设计，适用于电磁炉、微波炉等大功率家电，实现高能效与成本效益。

东芝推出三款650V碳化硅MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品搭载东芝最新第3代SiC MOSFET芯片，采用表面贴装TOLL封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备，并已开始支持批量出货。

与传统TO-247和TO-247-4L(X)通孔封装相比，TOLL封装可将器件体积缩小80%以上，提高设备功率密度，并具有更低寄生阻抗，显著降低开关损耗。作为4引脚封装，支持栅极驱动信号的开尔文连接，减少内部源极电感影响，实现高速开关性能。以TW048U65C为例，相比东芝现有产品，其开通损耗降低约55%，关断损耗降低约25%，有助于降低设备能耗。

XYD6P6N10GC是一款屏蔽栅沟槽型 MOSFET（SGT MOS），具有大于 100V 的耐压能力，导通电阻典型值 Rds(on) = 6.6mΩ。与同类竞品相比，该产品具备更低的密勒电容和更快的开关速度，在高频开关应用中具有更低的损耗。其优势包括低导通电阻、低开关损耗、击穿电压稳定性高以及驱动简单，能够在高频环境下保持高可靠性和强抗干扰能力，适用于中低压应用场景。

该产品广泛应用于多种行业领域，包括储能电源、电机控制、电动工具、无人机、服务器、数据中心电源以及快充适配器电源等。凭借优秀的电容与Qg特性，本产品在开关时间和损耗控制方面表现优异，可有效提升系统整体效率和性能，为各类中低压电源及控制系统提供高效、可靠的功率解决方案。

功率半导体行业正不断突破升级。从低耐压到高耐压，从高导阻到低损耗，各品类产品持续优化，封装工艺日益精湛，应用场景也愈发广泛。每一次技术演进，都为电源系统效率与可靠性带来质的飞跃，推动着数据中心、新能源汽车、工业设备等多领域快速发展。随着研发深入与创新加速，功率半导体还将不断迭代，为全球电子产业注入强大动力，引领行业迈向更高台阶。

以上便是本次多款功率器件新品汇总的全部内容，如您需要持续了解功率半导体行业风向，您可以关注充电头网，我们将会持续为您整理业界最新动向。

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